Новости
17:55
14 Августа 2017 г.
Ученые из Стэнфорда нашли замену кремнию, которая продлит действие закона Мура
Поделиться:

Ученые из Стэнфорда нашли замену кремнию, которая продлит действие закона Мура

Ученые из Стэнфорда нашли замену кремнию, которая продлит действие закона Мура
Фотография:
Flickr

Диселениды гафния и циркония в транзисторах вместо кремния позволят сделать их еще более тонкими. Это значит, что еще какое-то время продолжит соблюдаться закон Мура (он гласит, что каждые два года количество транзисторов на интегральных платах удваивается). Результаты исследования ученых из Стэнфордского университета, опубликованные в журнале Science Advances, приводит издание N+1.

  • Новые материалы позволят и дальше «ужимать» микросхемы
  • Это нужно, чтобы делать все более мощные процессоры для компьютеров и смартфонов
  • Раньше компактность микросхем удваивалась каждые два года, но достигла физического предела
Видео
Видео
Фотография:
Flickr

Как можно более компактное размещение транзисторов важно для производства процессоров. Это позволяет делать компьютеры и смартфоны все более производительными и миниатюрными.

Существующие технологии позволяли с каждым годом сокращать шаг между транзисторами в микросхемах и наращивать их эффективность. Уже серийно применяются микросхемы с шагом 10 нанометров. Недавно IBM объявила, что ей удалось выпустить чип даже с пятинанометровым шагом.

Однако дальше ужимать микросхемы не получится. Чтобы оксид кремния служил изолятором для тока в транзисторе, толщина его слоя должна измеряться хотя бы десятками атомов. Если сделать слой тоньше, в полупроводнике возникнет риск утечки, а это сразу скажется на качестве работы процессора.

Новые материалы, которые изучали в Стэнфорде, отличаются от кремния шириной так называемой «запрещенной зоны». Их строение таково, что они остаются диэлектриками даже при толщине слоя в несколько атомов.

При этом даже в опытной интегральной плате с диселенидами пришлось использовать немного кремния. Авторы исследования оговариваются, что, прежде чем их открытия станут прорывом для микроэлектроники, предстоит решить немало проблем. Например, пока не существует контактов для таких маленьких транзисторов.

Видео
Видео