Как можно более компактное размещение транзисторов важно для производства процессоров. Это позволяет делать компьютеры и смартфоны все более производительными и миниатюрными.
Существующие технологии позволяли с каждым годом сокращать шаг между транзисторами в микросхемах и наращивать их эффективность. Уже серийно применяются микросхемы с шагом 10 нанометров. Недавно IBM объявила, что ей удалось выпустить чип даже с пятинанометровым шагом.
Однако дальше ужимать микросхемы не получится. Чтобы оксид кремния служил изолятором для тока в транзисторе, толщина его слоя должна измеряться хотя бы десятками атомов. Если сделать слой тоньше, в полупроводнике возникнет риск утечки, а это сразу скажется на качестве работы процессора.
Новые материалы, которые изучали в Стэнфорде, отличаются от кремния шириной так называемой «запрещенной зоны». Их строение таково, что они остаются диэлектриками даже при толщине слоя в несколько атомов.
При этом даже в опытной интегральной плате с диселенидами пришлось использовать немного кремния. Авторы исследования оговариваются, что, прежде чем их открытия станут прорывом для микроэлектроники, предстоит решить немало проблем. Например, пока не существует контактов для таких маленьких транзисторов.
